logo

Shenzhen CPET Electronics Co., Ltd. sales05@szcpet.com 86-0755-23427658

Shenzhen CPET Electronics Co., Ltd. Hồ sơ công ty
Blog
Nhà > Blog >
Tin tức về công ty Thử nghiệm Burnin có độ tin cậy cao được tối ưu hóa cho điốt SMC và D2PAK

Thử nghiệm Burnin có độ tin cậy cao được tối ưu hóa cho điốt SMC và D2PAK

2026-06-29
Latest company news about Thử nghiệm Burnin có độ tin cậy cao được tối ưu hóa cho điốt SMC và D2PAK

Thử nghiệm đốt nóng ở nhiệt độ cao đóng vai trò là rào cản kiểm soát chất lượng cuối cùng và là quy trình quan trọng để đánh giá độ tin cậy lâu dài của linh kiện. Đối với điốt đóng gói SMC và D²PAK, việc duy trì các thông số kỹ thuật về hiệu suất điện sau khi chịu đựng áp lực môi trường khắc nghiệt đặt ra những thách thức kỹ thuật đặc biệt, đặc biệt là khi thiết kế kiến ​​trúc thử nghiệm hiệu quả trong không gian PCB hạn chế.

Những thách thức kiểm thử cốt lõi

Mục tiêu cơ bản của thử nghiệm đốt cháy nằm ở việc tăng tốc độ phát hiện các khuyết tật tiềm ẩn trong môi trường nhiệt độ cao. Đối với điốt, hai thông số chính yêu cầu giám sát chính xác: điện áp chuyển tiếp (VF) và dòng rò ngược (IR). Các phương pháp đo thủ công truyền thống tỏ ra không hiệu quả đối với các bo mạch cố định có chứa nhiều thành phần, thường gây ra lỗi điện trở tiếp xúc. Điều này đòi hỏi phải triển khai các kiến ​​trúc thử nghiệm nội tuyến tự động.

Kiến trúc thử nghiệm được đề xuất

Để đạt được khả năng giám sát chính xác điốt SMC/D²PAK, nên sử dụng cấu hình "công tắc ma trận + bộ đo nguồn chính xác (SMU)":

  • Thiết kế mạch thử nghiệm:Triển khai các đường dẫn kiểm tra độc lập cho từng vị trí diode trên bảng burn-in. Ma trận rơle phải cách ly hoặc kết nối các bộ phận với bus thử nghiệm, ngăn ngừa nhiễu dòng điện rò rỉ và đảm bảo độ chính xác của phép đo.
  • Phương pháp đo lường:
    • Đo lường VF:Sử dụng kết nối Kelvin bốn dây. Đặt dòng điện thuận không đổi qua SMU trong khi đo độ sụt điện áp trên diode. Điều này giúp loại bỏ các lỗi từ vật cố định thử nghiệm và điện trở của dây dẫn.
    • Đo hồng ngoại:Đo dòng rò dưới điện áp ngược định mức. Với phạm vi dòng điện rò từ microampere (µA) đến nanoampere (nA), hãy sử dụng SMU có khả năng đo dòng điện thấp kết hợp với tấm chắn thích hợp để giảm thiểu nhiễu điện từ.
Những cân nhắc thực hiện quan trọng
  • Bồi thường nhiệt:Nhiệt độ thành phần ảnh hưởng đáng kể đến phép đo VF trong hoặc ngay sau khi thử nghiệm. Các mô hình hiệu chỉnh dựa trên nhiệt độ phải được thiết lập để đảm bảo khả năng so sánh dữ liệu với các thông số kỹ thuật ở nhiệt độ phòng.
  • Độ tin cậy của liên hệ:Điện trở tiếp xúc dao động trong ổ cắm thử nóng đối với các gói SMC và D²PAK là nguồn gây nhiễu phổ biến. Chúng tôi đặc biệt khuyên dùng các ổ cắm lò xo có tuổi thọ cao, điện trở tiếp xúc thấp và được hiệu chuẩn thường xuyên.
  • Truy xuất nguồn gốc dữ liệu:Việc liên kết dữ liệu thử nghiệm với số sê-ri thành phần cho phép ghi lại tự động độ lệch thông số trước và sau khi thử nghiệm. Phân tích thống kê dữ liệu này tạo điều kiện thuận lợi cho việc xác định các thất bại tiềm ẩn trong giai đoạn đầu đời.

Khung thử nghiệm điện có độ chính xác cao này cho phép giám sát vòng kín quá trình đốt cháy đồng thời cung cấp hỗ trợ dữ liệu mạnh mẽ để đánh giá độ tin cậy, cuối cùng đảm bảo hiệu suất ổn định và độ ổn định lâu dài của điốt sản xuất.

Sự kiện
Liên lạc
Liên lạc: Miss. Umiya
Fax: 86-0755-23429958
Liên hệ ngay bây giờ
Gửi cho chúng tôi.